창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BUK9107-40ATC,118 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BUK9107-40TC | |
PCN 단종/ EOL | EOL 30/Dec/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | TrenchMOS™ | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 다이오드(절연), 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.2m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5836pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 272W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-5, D²Pak(4리드(lead)+탭), TO-263BB | |
공급 장치 패키지 | SOT-426 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 568-9662-1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BUK9107-40ATC,118 | |
관련 링크 | BUK9107-40, BUK9107-40ATC,118 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | RG3216P-3303-B-T1 | RES SMD 330K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-3303-B-T1.pdf | |
![]() | RT0603BRE0750RL | RES SMD 50 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRE0750RL.pdf | |
![]() | MCW0406MD3831BP100 | RES SMD 3.83K OHM 1/4W 0604 WIDE | MCW0406MD3831BP100.pdf | |
![]() | MR3JT51L0 | RES CURRENT SENSE .051 OHM 3W 5% | MR3JT51L0.pdf | |
![]() | SRM16VB33ME2-5X5 | SRM16VB33ME2-5X5 AUK NA | SRM16VB33ME2-5X5.pdf | |
![]() | DB5700B | DB5700B ORIGINAL SMD or Through Hole | DB5700B.pdf | |
![]() | TMS27C256JC | TMS27C256JC TI DIP-28 | TMS27C256JC.pdf | |
![]() | 1206 NP0 47pF 1000v | 1206 NP0 47pF 1000v HEC 1206 | 1206 NP0 47pF 1000v.pdf | |
![]() | C1608CCG1H020C | C1608CCG1H020C TDK SMD or Through Hole | C1608CCG1H020C.pdf | |
![]() | n502 | n502 div SMD or Through Hole | n502.pdf | |
![]() | 0805 474M 25V | 0805 474M 25V FH SMD or Through Hole | 0805 474M 25V.pdf | |
![]() | 71V18163CJ6 | 71V18163CJ6 HY SOJ | 71V18163CJ6.pdf |