창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BUK7C10-75AITE,118 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BUK7C10-75AITE | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 전류 감지 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 121nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4700pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 272W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | 568-9661-2 934057278118 BUK7C10-75AITE /T3 BUK7C10-75AITE /T3-ND BUK7C10-75AITE,118-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BUK7C10-75AITE,118 | |
관련 링크 | BUK7C10-75, BUK7C10-75AITE,118 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
KLM-6/10 | FUSE CRTRDGE 6MA 600VAC/VDC 5AG | KLM-6/10.pdf | ||
KBU4D-E4/51 | RECTIFIER BRIDGE 4A 200V KBU | KBU4D-E4/51.pdf | ||
D050505D-2W | D050505D-2W MICRODC DIP | D050505D-2W.pdf | ||
BU4453F-E2 | BU4453F-E2 ROHM SMD | BU4453F-E2.pdf | ||
IRF620STRPBF | IRF620STRPBF IR TO-263 | IRF620STRPBF.pdf | ||
24.76351MHZ | 24.76351MHZ NDK SMD or Through Hole | 24.76351MHZ.pdf | ||
HG51A002A02FB | HG51A002A02FB ORIGINAL QFP | HG51A002A02FB.pdf | ||
RE3-50V010M | RE3-50V010M ELNA DIP | RE3-50V010M.pdf | ||
B 10UF 20V | B 10UF 20V ORIGINAL SMD or Through Hole | B 10UF 20V.pdf | ||
FPD85310-CMA | FPD85310-CMA ORIGINAL QFP-100 | FPD85310-CMA.pdf | ||
42P3.5-JMCS-G-B-TF(N) | 42P3.5-JMCS-G-B-TF(N) JST SMD or Through Hole | 42P3.5-JMCS-G-B-TF(N).pdf | ||
BDT61AF. | BDT61AF. NXP TO-220F | BDT61AF..pdf |