창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BUK762R6-40E,118 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 면제 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BUK762R6-40E | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Source 09/Jun/2014 Wafer Fab Site Addition 05/Aug/2014 | |
| PCN 포장 | Reel Trailer Update 08/May/2015 Reel Trailer Revision 14/Sep/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.6m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 91nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7130pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 263W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | 568-10175-2 934066434118 BUK762R6-40E,118-ND BUK762R640E118 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BUK762R6-40E,118 | |
| 관련 링크 | BUK762R6-, BUK762R6-40E,118 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | 70F916AI-RC | 9.1µH Unshielded Wirewound Inductor 288mA 1.44 Ohm Max Axial | 70F916AI-RC.pdf | |
![]() | SBYV26C-E3-73 | SBYV26C-E3-73 VISHAY DO-41 | SBYV26C-E3-73.pdf | |
![]() | 12C509A-JW | 12C509A-JW MICROCHIP DIP( | 12C509A-JW.pdf | |
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![]() | CN50-24-110 | CN50-24-110 LAMBDA SMD or Through Hole | CN50-24-110.pdf | |
![]() | SN74LVT16952 | SN74LVT16952 TI SSOP | SN74LVT16952.pdf | |
![]() | TAKE3TCH | TAKE3TCH ORIGINAL DIP | TAKE3TCH.pdf | |
![]() | DS1881Z-050+TR | DS1881Z-050+TR MAXIM SMD or Through Hole | DS1881Z-050+TR.pdf |