창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BUK762R4-60E,118 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BUK762R4-60E | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Source 09/Jun/2014 Wafer Fab Site Addition 05/Aug/2014 | |
| PCN 포장 | Reel Trailer Update 08/May/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.4m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 158nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11180pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 357W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | 568-9566-2 934066496118 BUK762R460E118 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BUK762R4-60E,118 | |
| 관련 링크 | BUK762R4-, BUK762R4-60E,118 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
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![]() | CDRH103RNP-100NC-B | 10µH Shielded Inductor 2.8A 59 mOhm Max Nonstandard | CDRH103RNP-100NC-B.pdf | |
![]() | CRCW120637R4FKTB | RES SMD 37.4 OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW120637R4FKTB.pdf | |
![]() | CMF60750K00FKR670 | RES 750K OHM 1W 1% AXIAL | CMF60750K00FKR670.pdf | |
![]() | SA57250-36GW | SA57250-36GW NXP SMD or Through Hole | SA57250-36GW.pdf | |
![]() | SNJ513AJ | SNJ513AJ TI CDIP | SNJ513AJ.pdf | |
![]() | CML321620T-222M | CML321620T-222M EROCORE NA | CML321620T-222M.pdf | |
![]() | MX27C8100MC-15 | MX27C8100MC-15 MX SOP | MX27C8100MC-15.pdf | |
![]() | LX8385B-33DD | LX8385B-33DD LINFINITY TO263 | LX8385B-33DD.pdf | |
![]() | B43564A5568M000 | B43564A5568M000 EPCOS SMD or Through Hole | B43564A5568M000.pdf | |
![]() | PC87427F5-C/L1 | PC87427F5-C/L1 NS QFP128 | PC87427F5-C/L1.pdf |