창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BUK762R4-60E,118 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BUK762R4-60E | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Source 09/Jun/2014 Wafer Fab Site Addition 05/Aug/2014 | |
PCN 포장 | Reel Trailer Update 08/May/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.4m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 158nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11180pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 357W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | 568-9566-2 934066496118 BUK762R460E118 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BUK762R4-60E,118 | |
관련 링크 | BUK762R4-, BUK762R4-60E,118 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
VJ0603D910KXCAJ | 91pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D910KXCAJ.pdf | ||
VJ0805D330MLAAC | 33pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D330MLAAC.pdf | ||
VJ1812Y331KBGAT4X | 330pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812Y331KBGAT4X.pdf | ||
2N1796 | THYRISTOR STUD 250V 70A TO-94 | 2N1796.pdf | ||
RC1005F1R74CS | RES SMD 1.74 OHM 1% 1/16W 0402 | RC1005F1R74CS.pdf | ||
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HF1-160808-12NJ | HF1-160808-12NJ JARO SMD or Through Hole | HF1-160808-12NJ.pdf | ||
7PA | 7PA TI MSOP8 | 7PA.pdf | ||
MXF3535B4R43T307 | MXF3535B4R43T307 TDK SOD-123 | MXF3535B4R43T307.pdf |