창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BUK7613-100E,118 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BUK7613-100E | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Source 09/Jun/2014 Wafer Fab Site Addition 05/Aug/2014 | |
PCN 포장 | Reel Trailer Update 08/May/2015 Reel Trailer Revision 14/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 72A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 97.2nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4533pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 182W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | 568-10240-2 934066665118 BUK7613-100E,118-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BUK7613-100E,118 | |
관련 링크 | BUK7613-1, BUK7613-100E,118 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
GRM0335C1H100GA01D | 10pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM0335C1H100GA01D.pdf | ||
ERJ-L08UJ81MV | RES SMD 0.081 OHM 5% 1/3W 1206 | ERJ-L08UJ81MV.pdf | ||
RT1206BRE0782RL | RES SMD 82 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRE0782RL.pdf | ||
AZ1117-1.5/1.8/2.5/3.3/ADJ/5.0/ADJ | AZ1117-1.5/1.8/2.5/3.3/ADJ/5.0/ADJ AAC TO-252 | AZ1117-1.5/1.8/2.5/3.3/ADJ/5.0/ADJ.pdf | ||
AMD-K6-2/450AMX | AMD-K6-2/450AMX AMD SMD or Through Hole | AMD-K6-2/450AMX.pdf | ||
MA1C-1200A39-8 | MA1C-1200A39-8 HMS CDIP | MA1C-1200A39-8.pdf | ||
SW7485-J | SW7485-J SW DIP-16 | SW7485-J.pdf | ||
DT1608C-223MLD | DT1608C-223MLD COILCRAFT SMD | DT1608C-223MLD.pdf | ||
6530A | 6530A FSC TO-252 | 6530A.pdf | ||
ME2100 ADJ | ME2100 ADJ ME SOT23-5 | ME2100 ADJ.pdf | ||
F8248 | F8248 ORIGINAL SMD or Through Hole | F8248.pdf | ||
HM87411 | HM87411 ORIGINAL DIP | HM87411.pdf |