창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BUK6E3R2-55C,127 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BUK6E3R2-55C | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.8V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 258nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 15300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 306W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | I2PAK | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 568-7505-5 934064473127 BUK6E3R2-55C,127-ND BUK6E3R255C127 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BUK6E3R2-55C,127 | |
관련 링크 | BUK6E3R2-, BUK6E3R2-55C,127 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
CGA6M2X7R2A105K200AE | 1µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | CGA6M2X7R2A105K200AE.pdf | ||
GRM0335C1H8R1DA01D | 8.1pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1H8R1DA01D.pdf | ||
2220CC333KAT1A | 0.033µF 630V 세라믹 커패시터 X7R 2220(5750 미터법) 0.224" L x 0.197" W(5.70mm x 5.00mm) | 2220CC333KAT1A.pdf | ||
5HTP 8 | FUSE CERAMIC 8A 250VAC 5X20MM | 5HTP 8.pdf | ||
TLE2425G | TLE2425G TI SOP-8 | TLE2425G.pdf | ||
TRA1 L-12VDC-S-Z | TRA1 L-12VDC-S-Z TIANBO SMD or Through Hole | TRA1 L-12VDC-S-Z.pdf | ||
GB86321G | GB86321G ORIGINAL 10 10 1.5mm | GB86321G.pdf | ||
KDZ10VV | KDZ10VV KEC SOD723 | KDZ10VV.pdf | ||
BST0804SM03 | BST0804SM03 INTERVOX SMD or Through Hole | BST0804SM03.pdf | ||
T493C106K020BH6410 | T493C106K020BH6410 KEMET C-6032-28 | T493C106K020BH6410.pdf |