홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » BUK6E3R2-55C,127

NXP Semiconductors BUK6E3R2-55C,127

BUK6E3R2-55C,127
제조업체 부품 번호
BUK6E3R2-55C,127
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 55V 120A I2PAK
데이터 시트 다운로드
다운로드
BUK6E3R2-55C,127 가격 및 조달

가능 수량

9523 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 1,205.15100
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 BUK6E3R2-55C,127 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. BUK6E3R2-55C,127 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. BUK6E3R2-55C,127가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
BUK6E3R2-55C,127 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
BUK6E3R2-55C,127 매개 변수
내부 부품 번호EIS-BUK6E3R2-55C,127
무연 여부 / RoHS 준수 여부납 함유 / RoHS 미준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서BUK6E3R2-55C
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체NXP Semiconductors
계열자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)55V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C120A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs3.2m옴 @ 25A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.8V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs258nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds15300pF @ 25V
전력 - 최대306W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA
공급 장치 패키지I2PAK
표준 포장 50
다른 이름568-7505-5
934064473127
BUK6E3R2-55C,127-ND
BUK6E3R255C127
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)BUK6E3R2-55C,127
관련 링크BUK6E3R2-, BUK6E3R2-55C,127 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
BUK6E3R2-55C,127 의 관련 제품
DIODE ARRAY SCHOTTKY 80V D2PAK STPS40SM80CG-TR.pdf
RES 133 OHM 1/4W 0.5% AXIAL H8133RDZA.pdf
ADTH TEL:82766440 MAXIM 5SOT23 ADTH TEL:82766440.pdf
D9DCG MICRON BGA D9DCG.pdf
AT45DB081B-28RI AT SOP AT45DB081B-28RI.pdf
PNP-752-P22-G RFMD vco PNP-752-P22-G.pdf
AH5B ORIGINAL SMD or Through Hole AH5B.pdf
RX480 215GNA4AKA21HK ATI SMD or Through Hole RX480 215GNA4AKA21HK.pdf
IDT77104 IDT PLCC IDT77104.pdf
TIBR-302 NETD SMD or Through Hole TIBR-302.pdf
C16043N TI DIP C16043N.pdf
2-967348-1 Tyco con 2-967348-1.pdf