NXP Semiconductors BUK663R2-40C,118

BUK663R2-40C,118
제조업체 부품 번호
BUK663R2-40C,118
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
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내부 부품 번호EIS-BUK663R2-40C,118
무연 여부 / RoHS 준수 여부납 함유 / RoHS 미준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서BUK663R2-40C
PCN 설계/사양Osiris Leadframe 09/Jun/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체NXP Semiconductors
계열자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)40V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C100A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs3.2m옴 @ 25A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.8V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs125nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds8020pF @ 25V
전력 - 최대204W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지D2PAK
표준 포장 800
다른 이름568-7000-2
934063773118
BUK663R2-40C,118-ND
BUK663R240C118
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)BUK663R2-40C,118
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32.768kHz ±20ppm 수정 12.5pF 50k옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) MC-406 32.768K-A3:ROHS.pdf
RES SMD 97.6 OHM 0.5% 1/8W 0805 RG2012N-97R6-D-T5.pdf
RES 249K OHM 1/4W 0.1% AXIAL YR1B249KCC.pdf
PME271Y250vac-10n-y2-40/100/56/c-m5 RIFA SMD or Through Hole PME271Y250vac-10n-y2-40/100/56/c-m5.pdf
TD20003/M TDK DIP28 TD20003/M.pdf
K4H511638G/J-LCCC ORIGINAL SMD or Through Hole K4H511638G/J-LCCC.pdf
S93C46BD01-J8T1G SEIKO SOP8 S93C46BD01-J8T1G.pdf
GJM1555C1H3R9WB01D+A01 ORIGINAL SMD or Through Hole GJM1555C1H3R9WB01D+A01.pdf
AIC1722A-18GXTTR AIC SMD or Through Hole AIC1722A-18GXTTR.pdf
F2013ERW Micropower DIP F2013ERW.pdf
E1I9C NO SMD or Through Hole E1I9C.pdf