홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일 » BUJ303B,127

NXP Semiconductors BUJ303B,127

BUJ303B,127
제조업체 부품 번호
BUJ303B,127
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS NPN 400V 5A TO220AB
데이터 시트 다운로드
다운로드
BUJ303B,127 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
N/A
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 BUJ303B,127 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. BUJ303B,127 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. BUJ303B,127가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
BUJ303B,127 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
BUJ303B,127 매개 변수
내부 부품 번호EIS-BUJ303B,127
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서BUJ303B
주요제품NXP - I²C Interface
PCN 기타Joint Venture Revision 07/Aug/2015
PCN 부품 상태 변경Part Status Conversion 22/Nov/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장튜브
부품 현황판매 중단
트랜지스터 유형NPN
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)5A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)400V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic1.5V @ 1A, 3A
전류 - 콜렉터 차단(최대)100µA
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce23 @ 800mA, 3V
전력 - 최대100W
주파수 - 트랜지션-
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220AB
표준 포장 50
다른 이름568-7486-5
934057075127
BUJ303B
BUJ303B,127-ND
BUJ303B-ND
BUJ303B127
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)BUJ303B,127
관련 링크BUJ303, BUJ303B,127 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
BUJ303B,127 의 관련 제품
8.8pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) GRM0335C1H8R8DD01D.pdf
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC IRF7313TRPBF.pdf
DTB123EY ORIGINAL SMD or Through Hole DTB123EY.pdf
RT3N77MT1111 ORIGINAL SMD or Through Hole RT3N77MT1111.pdf
239061241201L YAGEO SMD 239061241201L.pdf
M28F101-90K6 ST PLCC32 M28F101-90K6.pdf
HMC474SC70 HITTITE SMD or Through Hole HMC474SC70.pdf
T494S685M006AS KEMET SMD T494S685M006AS.pdf
OPA2107CM AD CAN8 OPA2107CM.pdf
J584 SANYO TO-220F J584.pdf
MD82C37A/883 ORIGINAL DIP-40 MD82C37A/883.pdf
STOL41 ORIGINAL SOP STOL41.pdf