창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BU109PNI | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | BU109PNI | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | BU109PNI | |
| 관련 링크 | BU10, BU109PNI 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 416F374XXCTT | 37.4MHz ±15ppm 수정 6pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F374XXCTT.pdf | |
![]() | SRR0804-101K | 100µH Shielded Wirewound Inductor 370mA 950 mOhm Max Nonstandard | SRR0804-101K.pdf | |
![]() | 2150-10H | 2.7µH Unshielded Molded Inductor 690mA 650 mOhm Max Axial | 2150-10H.pdf | |
![]() | WRF0505P-2W5 | WRF0505P-2W5 MORNSUN DIP | WRF0505P-2W5.pdf | |
![]() | M2002S476-42 | M2002S476-42 ORIGINAL SMD or Through Hole | M2002S476-42.pdf | |
![]() | BZX585-C5V1 5.1V | BZX585-C5V1 5.1V PHILIPS O6O3 | BZX585-C5V1 5.1V.pdf | |
![]() | K4M56323PI-HG75 | K4M56323PI-HG75 SAMSUNG BGA | K4M56323PI-HG75.pdf | |
![]() | AIC1533PSTR | AIC1533PSTR AIC SOP14 | AIC1533PSTR.pdf | |
![]() | BBDRV1101 | BBDRV1101 BB SOP8 | BBDRV1101.pdf | |
![]() | F1G1H6R0420 | F1G1H6R0420 ORIGINAL SMD or Through Hole | F1G1H6R0420.pdf | |
![]() | 2X1DI200ZN-120 | 2X1DI200ZN-120 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2X1DI200ZN-120.pdf | |
![]() | XC6204B132M | XC6204B132M SOT5 SMD or Through Hole | XC6204B132M.pdf |