창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BTS244ZE3062AATMA2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BTS244Z | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | TEMPFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 온도 보호 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13m옴 @ 19A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 130µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 130nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2660pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 170W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-5, D²Pak(4리드(lead)+탭), TO-263BB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-5 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | SP000910844 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BTS244ZE3062AATMA2 | |
| 관련 링크 | BTS244ZE30, BTS244ZE3062AATMA2 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
|  | 08055A0R8BAT2A | 0.80pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08055A0R8BAT2A.pdf | |
|  | 605PHB700K2R | 6µF Film Capacitor 400V 700V Polypropylene (PP), Metallized Radial 2.264" L x 1.181" W (57.50mm x 30.00mm) | 605PHB700K2R.pdf | |
|  | SWF150P-36 | AC/DC CONVERTER 36V 150W | SWF150P-36.pdf | |
|  | EMK316BJ106KD-T | EMK316BJ106KD-T ORIGINAL SMD or Through Hole | EMK316BJ106KD-T.pdf | |
|  | TD101F10KFC | TD101F10KFC EUPEC MODULE | TD101F10KFC.pdf | |
|  | MC705P6ACDW | MC705P6ACDW FREESCAL SOP-28 | MC705P6ACDW.pdf | |
|  | MSM51257L-12GS | MSM51257L-12GS OKI SOP-28P | MSM51257L-12GS.pdf | |
|  | CO431024.000TR | CO431024.000TR RALTRON SMD or Through Hole | CO431024.000TR.pdf | |
|  | 2EHDV-9P | 2EHDV-9P ORIGINAL SMD or Through Hole | 2EHDV-9P.pdf | |
|  | CTA5126-0801 | CTA5126-0801 SMK SMD or Through Hole | CTA5126-0801.pdf | |
|  | SN0301520/45AD62J | SN0301520/45AD62J TI BGA | SN0301520/45AD62J.pdf | |
|  | 3EB19055-4 | 3EB19055-4 MIT/MAT SIP8 | 3EB19055-4.pdf |