창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BTA312-800B,127 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BTA312-800B | |
| PCN 기타 | Joint Venture Revision 07/Aug/2015 | |
| PCN 부품 상태 변경 | Part Status Conversion 22/Nov/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트라이액 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 트라이액 유형 | 표준 | |
| 전압 - 오프 상태 | 800V | |
| 전류 - 온 상태(It (RMS))(최대) | 12A | |
| 전압 - 게이트 트리거(Vgt)(최대) | 1.5V | |
| 전류 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) | 95A, 105A | |
| 전류 - 게이트 트리거(Igt)(최대) | 50mA | |
| 전류 - 홀드(Ih)(최대) | 60mA | |
| 구성 | 단일 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 568-5686 568-5686-5 568-5686-ND 934060031127 BTA312-800B BTA312-800B,127-ND BTA312-800B-ND BTA312800B127 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BTA312-800B,127 | |
| 관련 링크 | BTA312-80, BTA312-800B,127 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | B43305A9686M60 | 68µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 1.99 Ohm @ 100Hz 2000 Hrs @ 85°C | B43305A9686M60.pdf | |
![]() | 345002150014 | CERAMIC MANUAL RESET THERMOSTAT | 345002150014.pdf | |
![]() | M4LV-32/32-12VC-14VI | M4LV-32/32-12VC-14VI LATTICE QFP | M4LV-32/32-12VC-14VI.pdf | |
![]() | ACF451832-682 | ACF451832-682 TDK SMD or Through Hole | ACF451832-682.pdf | |
![]() | SM564043574ASD2 | SM564043574ASD2 SMART SMD or Through Hole | SM564043574ASD2.pdf | |
![]() | CY7C1360S-200AXC | CY7C1360S-200AXC CYPRESS TQFP | CY7C1360S-200AXC.pdf | |
![]() | OP05-175 | OP05-175 PMI CAN | OP05-175.pdf | |
![]() | CL31F225ZOCNNNE | CL31F225ZOCNNNE SAMSUNG SMD | CL31F225ZOCNNNE.pdf | |
![]() | LA1833M-TLM | LA1833M-TLM SANYO SOP | LA1833M-TLM.pdf | |
![]() | MAMX-008611-000000 | MAMX-008611-000000 ORIGINAL SOT-26 | MAMX-008611-000000.pdf | |
![]() | URT1E470MCH | URT1E470MCH NICHICON DIP | URT1E470MCH.pdf | |
![]() | IRM-H240 | IRM-H240 EVERLIGHT SMD | IRM-H240.pdf |