창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BTA2008-800E,412 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BTA2008-600E | |
| PCN 기타 | Joint Venture Revision 07/Aug/2015 | |
| PCN 부품 상태 변경 | Part Status Conversion 22/Nov/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트라이액 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 트라이액 유형 | 논리 - 민감형 게이트 | |
| 전압 - 오프 상태 | 800V | |
| 전류 - 온 상태(It (RMS))(최대) | 800mA | |
| 전압 - 게이트 트리거(Vgt)(최대) | 2V | |
| 전류 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) | 9A, 10A | |
| 전류 - 게이트 트리거(Igt)(최대) | 10mA | |
| 전류 - 홀드(Ih)(최대) | 12mA | |
| 구성 | 단일 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 568-7481 568-7481-5 568-7481-5-ND 934061105412 BTA2008-800E BTA2008-800E,412-ND BTA2008-800E-ND BTA2008800E412 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BTA2008-800E,412 | |
| 관련 링크 | BTA2008-8, BTA2008-800E,412 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | VJ2220Y155KBBAT4X | 1.5µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 2220(5750 미터법) 0.226" L x 0.200" W(5.74mm x 5.08mm) | VJ2220Y155KBBAT4X.pdf | |
![]() | CMF5586K600DHEA | RES 86.6K OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF5586K600DHEA.pdf | |
![]() | 4412E | 4412E LINEAR SMD or Through Hole | 4412E.pdf | |
![]() | LT1795CFE#PBF | LT1795CFE#PBF LINEAR TSSOP20 | LT1795CFE#PBF.pdf | |
![]() | SW20PHR380 | SW20PHR380 WESTCODE SMD or Through Hole | SW20PHR380.pdf | |
![]() | 0473004.NR | 0473004.NR LITTELFUSE SMD or Through Hole | 0473004.NR.pdf | |
![]() | AZ1084S-2 | AZ1084S-2 BCD SOT-263 | AZ1084S-2.pdf | |
![]() | HD3-6434-9 | HD3-6434-9 IXYS SOT-23-6 | HD3-6434-9.pdf | |
![]() | TCSCS1A474MPAR | TCSCS1A474MPAR SAMSUNG SMD | TCSCS1A474MPAR.pdf | |
![]() | THP3-2423 | THP3-2423 TRACO SMD or Through Hole | THP3-2423.pdf | |
![]() | EVM3SSX50B16 | EVM3SSX50B16 PANASONIC 3X3-1M | EVM3SSX50B16.pdf | |
![]() | DM621H | DM621H ORIGINAL QFN20 | DM621H.pdf |