창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSZ520N15NS3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSZ520N15NS3 G | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 21A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 52m옴 @ 18A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 35µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 890pF @ 75V | |
전력 - 최대 | 57W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSZ520N15NS3 G-ND BSZ520N15NS3 GTR BSZ520N15NS3G BSZ520N15NS3GATMA1 SP000607022 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSZ520N15NS3 G | |
관련 링크 | BSZ520N1, BSZ520N15NS3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
C2012X8R1C105M125AB | 1µF 16V 세라믹 커패시터 X8R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012X8R1C105M125AB.pdf | ||
TRR18EZPF1210 | RES SMD 121 OHM 1% 1/4W 1206 | TRR18EZPF1210.pdf | ||
AA0603FR-072K43L | RES SMD 2.43K OHM 1% 1/10W 0603 | AA0603FR-072K43L.pdf | ||
LS9109 | LS9109 TI TSSOP32 | LS9109.pdf | ||
K835CP | K835CP TI BGA | K835CP.pdf | ||
1008PS-472MLC | 1008PS-472MLC COILCRAF SMD | 1008PS-472MLC.pdf | ||
MC1005N0R25R03 | MC1005N0R25R03 ORIGINAL SMD or Through Hole | MC1005N0R25R03.pdf | ||
FZ400R12KS4 FZ1200R12KF4 | FZ400R12KS4 FZ1200R12KF4 MAXIM QFN | FZ400R12KS4 FZ1200R12KF4.pdf | ||
RZ0J478M16025 | RZ0J478M16025 SAMWH DIP | RZ0J478M16025.pdf | ||
TT425N | TT425N infineon SMD or Through Hole | TT425N.pdf | ||
AX6086C-100LQ | AX6086C-100LQ ASL TQFP | AX6086C-100LQ.pdf | ||
EVM1DSW30BC5 | EVM1DSW30BC5 PANASONIC 4X4-150K | EVM1DSW30BC5.pdf |