창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSZ340N08NS3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSZ340N08NS3 G | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Ta), 23A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 34m옴 @ 12A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 12µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9.1nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 630pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 32W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSZ340N08NS3G BSZ340N08NS3GATMA1 BSZ340N08NS3GINTR BSZ340N08NS3GXT SP000443634 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSZ340N08NS3 G | |
관련 링크 | BSZ340N0, BSZ340N08NS3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | C907U470JZSDCAWL20 | 47pF 440VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C907U470JZSDCAWL20.pdf | |
![]() | 10.24M | 10.24M EPSON 2016 | 10.24M.pdf | |
![]() | IRFH5215TR2PBF | IRFH5215TR2PBF InternationRectifer SMD or Through Hole | IRFH5215TR2PBF.pdf | |
![]() | D4217800LG5-A70-7JD | D4217800LG5-A70-7JD MEMORY SMD | D4217800LG5-A70-7JD.pdf | |
![]() | 36.11.9.006 | 36.11.9.006 ORIGINAL DIP-SOP | 36.11.9.006.pdf | |
![]() | VY1222M47Y5UQ6 | VY1222M47Y5UQ6 VISHAY SMD | VY1222M47Y5UQ6.pdf | |
![]() | N80C51PA | N80C51PA INTEL PLCC44 | N80C51PA.pdf | |
![]() | GRF2I642 | GRF2I642 LATTICE QFP-48 | GRF2I642.pdf | |
![]() | EG-5Y4HC039 | EG-5Y4HC039 ORIGINAL SMD or Through Hole | EG-5Y4HC039.pdf | |
![]() | ADM4857ARZ | ADM4857ARZ ORIGINAL 8-SOIC | ADM4857ARZ .pdf | |
![]() | LY2J-24V | LY2J-24V ORIGINAL SMD or Through Hole | LY2J-24V.pdf | |
![]() | SMDA05C-8.TE | SMDA05C-8.TE SEMTECH SOP8 | SMDA05C-8.TE.pdf |