창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSZ240N12NS3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSZ240N12NS3 G | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 120V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 37A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 35µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 27nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1900pF @ 60V | |
전력 - 최대 | 66W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSZ240N12NS3 G-ND BSZ240N12NS3G BSZ240N12NS3GATMA1 SP000819814 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSZ240N12NS3 G | |
관련 링크 | BSZ240N1, BSZ240N12NS3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
EEU-HD1H100B | 10µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | EEU-HD1H100B.pdf | ||
GDA-800MA | GDA-800MA ORIGINAL SMD or Through Hole | GDA-800MA.pdf | ||
HZ11A1-EQ | HZ11A1-EQ RENESAS DO35 | HZ11A1-EQ.pdf | ||
13F-60ANL | 13F-60ANL YDS RJ45 | 13F-60ANL.pdf | ||
TAH246 | TAH246 ORIGINAL DIP28 | TAH246.pdf | ||
6264BLP10L | 6264BLP10L HIT DIP-28 | 6264BLP10L.pdf | ||
SMZ-75K6.5DYA | SMZ-75K6.5DYA AMPHENOL SMD or Through Hole | SMZ-75K6.5DYA.pdf | ||
ERP610VH4470MEF0 | ERP610VH4470MEF0 Kemet SMD or Through Hole | ERP610VH4470MEF0.pdf | ||
EP1SGX10CF672I5N | EP1SGX10CF672I5N ALTERA BGA | EP1SGX10CF672I5N.pdf | ||
MOC8104T | MOC8104T MOTOROLA DIP6 | MOC8104T.pdf | ||
S36478 | S36478 ORIGINAL CAN | S36478.pdf | ||
MCP111T-240ETT(MQ) | MCP111T-240ETT(MQ) MICROCHIP SOT23-3P | MCP111T-240ETT(MQ).pdf |