창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSZ180P03NS3GATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSZ180P03NS3 G | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Ta), 39.6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.1V @ 48µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2220pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSZ180P03NS3 G BSZ180P03NS3 G-ND SP000709744 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSZ180P03NS3GATMA1 | |
관련 링크 | BSZ180P03N, BSZ180P03NS3GATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | RT0805BRE0714R3L | RES SMD 14.3 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRE0714R3L.pdf | |
![]() | IDT7007S25 | IDT7007S25 ORIGINAL SMD or Through Hole | IDT7007S25.pdf | |
![]() | 74128N | 74128N S DIP | 74128N.pdf | |
![]() | 10KP9.0A | 10KP9.0A VISHAY/LITELFUSE P-600 | 10KP9.0A.pdf | |
![]() | M28W160A-100ZA6 | M28W160A-100ZA6 ST BGA | M28W160A-100ZA6.pdf | |
![]() | CIH05T22NS | CIH05T22NS Samsung SMD | CIH05T22NS.pdf | |
![]() | S-8352C33UA | S-8352C33UA ORIGINAL SOT-89 | S-8352C33UA.pdf | |
![]() | CB3LV3C200000 | CB3LV3C200000 CTS SMD or Through Hole | CB3LV3C200000.pdf | |
![]() | RBV4B | RBV4B LITEON SMD or Through Hole | RBV4B.pdf | |
![]() | PIC30F3013201/ML 3PCS | PIC30F3013201/ML 3PCS Microchip SMD or Through Hole | PIC30F3013201/ML 3PCS.pdf | |
![]() | ELXA401LGC332MDC5M | ELXA401LGC332MDC5M ORIGINAL SMD or Through Hole | ELXA401LGC332MDC5M.pdf | |
![]() | CY25BAJ-8F-T13 F10V | CY25BAJ-8F-T13 F10V RENESAS TSSOP8 | CY25BAJ-8F-T13 F10V.pdf |