창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSZ110N06NS3 G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSZ110N06NS3G BSZ110N06NS3 G | |
| PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1614 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 23µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 33nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2700pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSZ110N06NS3G BSZ110N06NS3GATMA1 BSZ110N06NS3GINTR SP000453676 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSZ110N06NS3 G | |
| 관련 링크 | BSZ110N0, BSZ110N06NS3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 0498175.M | FUSE AUTO 175A 32VDC AUTO LINK | 0498175.M.pdf | |
![]() | TYS40301R0N-10 | 1µH Shielded Inductor 4.15A 14 mOhm Max Nonstandard | TYS40301R0N-10.pdf | |
![]() | 4814P-2-102 | RES ARRAY 13 RES 1K OHM 14SOIC | 4814P-2-102.pdf | |
![]() | CY37192VP160-66AC | CY37192VP160-66AC CYPREAC QFP | CY37192VP160-66AC.pdf | |
![]() | IX0296 | IX0296 ORIGINAL IC | IX0296.pdf | |
![]() | S558-5999-E9 | S558-5999-E9 BEL SMD | S558-5999-E9.pdf | |
![]() | FODM3023R1_NF0 | FODM3023R1_NF0 FSC SOP-4 | FODM3023R1_NF0.pdf | |
![]() | LTCY | LTCY LTC MSOP8 | LTCY.pdf | |
![]() | LX8117-00CDT | LX8117-00CDT MICROSEMI sot | LX8117-00CDT.pdf | |
![]() | 224-8761-0011S | 224-8761-0011S CHIP PLCC | 224-8761-0011S.pdf | |
![]() | HAI-4905-2 | HAI-4905-2 HARRIS DIP | HAI-4905-2.pdf | |
![]() | CRS08(TE85L) 1206-S8 | CRS08(TE85L) 1206-S8 TOSHIBA SMD or Through Hole | CRS08(TE85L) 1206-S8.pdf |