창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSZ105N04NS G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSZ105N04NSG | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1614 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Ta), 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.5m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 14µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 35W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSZ105N04NSG BSZ105N04NSGATMA1 BSZ105N04NSGINTR BSZ105N04NSGXT SP000388301 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSZ105N04NS G | |
관련 링크 | BSZ105N, BSZ105N04NS G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | URZ2A4R7MDD | 4.7µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | URZ2A4R7MDD.pdf | |
![]() | CF14JA3K30 | RES 3.3K OHM 1/4W 5% CARBON FILM | CF14JA3K30.pdf | |
![]() | H888K7BCA | RES 88.7K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H888K7BCA.pdf | |
![]() | AA050MA01/MC01 | AA050MA01/MC01 ORIGINAL SMD or Through Hole | AA050MA01/MC01.pdf | |
![]() | P15C-3245Q | P15C-3245Q ORIGINAL SSOP | P15C-3245Q.pdf | |
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![]() | ENG-BG | ENG-BG ANADIGI QFN | ENG-BG.pdf | |
![]() | KMS1117-1.2 | KMS1117-1.2 KEXIN SOT223 | KMS1117-1.2.pdf | |
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![]() | FAP26161YA | FAP26161YA YAMAICHI SMD or Through Hole | FAP26161YA.pdf | |
![]() | LM2591HVS-3.0 | LM2591HVS-3.0 NS SMD or Through Hole | LM2591HVS-3.0.pdf |