창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSZ100N06LS3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSZ100N06LS3G BSZ100N06LS3 G | |
주요제품 | Solutions for Embedded Systems | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1614 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Ta), 20A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 23µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3500pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 50W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSZ100N06LS3G BSZ100N06LS3GATMA1 BSZ100N06LS3GINTR SP000453672 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSZ100N06LS3 G | |
관련 링크 | BSZ100N0, BSZ100N06LS3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | HS25 1K F | RES CHAS MNT 1K OHM 1% 25W | HS25 1K F.pdf | |
![]() | DSS41A05B | DSS41A05B CP DIP4 | DSS41A05B.pdf | |
![]() | TC1223-2.5VCT713 | TC1223-2.5VCT713 Microchip SOT23-5 | TC1223-2.5VCT713.pdf | |
![]() | MAX3464CPA | MAX3464CPA MAXIM DIP8 | MAX3464CPA.pdf | |
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![]() | AD42633 | AD42633 AD PLCC28 | AD42633.pdf | |
![]() | EPF10K200SBC600 | EPF10K200SBC600 ORIGINAL SMD or Through Hole | EPF10K200SBC600.pdf | |
![]() | 766500005 | 766500005 Molex SMD or Through Hole | 766500005.pdf | |
![]() | 2N678B | 2N678B MOT TO-3 | 2N678B.pdf | |
![]() | UPC41C | UPC41C NEC DIP14 | UPC41C.pdf | |
![]() | PN5010B | PN5010B PIONEER QFP | PN5010B.pdf | |
![]() | 420BXW22M10*25 | 420BXW22M10*25 RUBYCON DIP-2 | 420BXW22M10*25.pdf |