Infineon Technologies BSZ100N03MSGATMA1
- 제조업체 부품 번호
- BSZ100N03MSGATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
BSZ100N03MSGATMA1 가격 및 조달
가능 수량
13550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 222.39360
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 BSZ100N03MSGATMA1 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. BSZ100N03MSGATMA1 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. BSZ100N03MSGATMA1가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- BSZ100N03MSGATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSZ100N03MSGATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSZ100N03MSGATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSZ100N03MS G | |
| PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Ta), 40A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.1m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1700pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 30W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSZ100N03MS G BSZ100N03MSG SP000311510 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSZ100N03MSGATMA1 | |
| 관련 링크 | BSZ100N03M, BSZ100N03MSGATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
BSZ100N03MSGATMA1 의 관련 제품
 | VJ1210Y332MXPAT5Z | 3300pF 250V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | VJ1210Y332MXPAT5Z.pdf | |
 | VJ0805D150GXAAP | 15pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D150GXAAP.pdf | |
 | SRU2013-6R8Y | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 800mA 330 mOhm Max Nonstandard | SRU2013-6R8Y.pdf | |
 | S1210-104H | 100µH Shielded Inductor 127mA 10 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | S1210-104H.pdf | |
 | RNF18CTC20K0 | RES 20K OHM 1/8W .25% AXIAL | RNF18CTC20K0.pdf | |
| TLP421(GR-TP1) | TLP421(GR-TP1) TOSHIBA SMD4 | TLP421(GR-TP1).pdf | |
| SUB110N04 | SUB110N04 VISHAY TO263 | SUB110N04.pdf | |
| MC14020BDR2G-ON | MC14020BDR2G-ON ORIGINAL SMD or Through Hole | MC14020BDR2G-ON.pdf | |
| FLEX41057A | FLEX41057A MOTOROLA BGA | FLEX41057A.pdf | |
| 8-1437648-0 | 8-1437648-0 TYCO/WSI SMD or Through Hole | 8-1437648-0.pdf | |
| LTC3410ESC6-1.2 NOPB | LTC3410ESC6-1.2 NOPB LT SOT363 | LTC3410ESC6-1.2 NOPB.pdf | |
| C062T684K5X5CR | C062T684K5X5CR Kemet SMD or Through Hole | C062T684K5X5CR.pdf |