창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSZ0901NSI | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSZ0901NSI | |
| PCN 설계/사양 | OptiMOS Wafer Addition 17/Dec/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-channel, 쇼트키, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Ta), 40A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.1m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 41nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2600pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 69W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSZ0901NSIATMA1 BSZ0901NSITR SP000853566 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSZ0901NSI | |
| 관련 링크 | BSZ090, BSZ0901NSI 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
| BZT55A11-GS08 | DIODE ZENER 11V 500MW SOD80 | BZT55A11-GS08.pdf | ||
![]() | D01997103 | RESISTIVE & OPTICAL NUT | D01997103.pdf | |
![]() | WPT56-08 | WPT56-08 WESTCODE MODULE | WPT56-08.pdf | |
![]() | ST763ABD-TR | ST763ABD-TR ST SOP8 | ST763ABD-TR.pdf | |
![]() | CY7C09179-7AC | CY7C09179-7AC CYPRESS TQFP | CY7C09179-7AC.pdf | |
![]() | ESE685M100AC3AA | ESE685M100AC3AA ARCOTRNI DIP-2 | ESE685M100AC3AA.pdf | |
![]() | APT-2012QGW | APT-2012QGW KINGBRING SMD or Through Hole | APT-2012QGW.pdf | |
![]() | MAP5401M-QB-C2 | MAP5401M-QB-C2 MICRONAS QFP | MAP5401M-QB-C2.pdf | |
![]() | LM356AH/883QL | LM356AH/883QL NS SMD or Through Hole | LM356AH/883QL.pdf | |
![]() | ML-700NV-02P | ML-700NV-02P Samsung SMD or Through Hole | ML-700NV-02P.pdf | |
![]() | KCB05/K101A | KCB05/K101A ORIGINAL SMD or Through Hole | KCB05/K101A.pdf | |
![]() | T494B685K006AT | T494B685K006AT KEMET SMD | T494B685K006AT.pdf |