창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSZ0901NSI | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSZ0901NSI | |
PCN 설계/사양 | OptiMOS Wafer Addition 17/Dec/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-channel, 쇼트키, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Ta), 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.1m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 41nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2600pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 69W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSZ0901NSIATMA1 BSZ0901NSITR SP000853566 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSZ0901NSI | |
관련 링크 | BSZ090, BSZ0901NSI 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
RMCF0603JT620K | RES SMD 620K OHM 5% 1/10W 0603 | RMCF0603JT620K.pdf | ||
RG2012N-5112-W-T5 | RES SMD 51.1KOHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012N-5112-W-T5.pdf | ||
CMF55825K00FKEA | RES 825K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55825K00FKEA.pdf | ||
V8508B | V8508B ASSMANN SMD or Through Hole | V8508B.pdf | ||
CVR-042-1M | CVR-042-1M TAWAN 44-1M | CVR-042-1M.pdf | ||
DK400B10 | DK400B10 LEM SMD or Through Hole | DK400B10.pdf | ||
58T-1022FC | 58T-1022FC YDS SMD or Through Hole | 58T-1022FC.pdf | ||
TE28F800-B5B90 | TE28F800-B5B90 INTEL TSSOP | TE28F800-B5B90.pdf | ||
K6F161R6AEF70TMT | K6F161R6AEF70TMT SAMSUNG SMD or Through Hole | K6F161R6AEF70TMT.pdf | ||
SSR-90VAAADA | SSR-90VAAADA ORIGINAL SMD or Through Hole | SSR-90VAAADA.pdf | ||
AB2011 R1A | AB2011 R1A NA BGA | AB2011 R1A.pdf | ||
FD4500GP2 | FD4500GP2 ORIGINAL Module | FD4500GP2.pdf |