창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSZ086P03NS3E G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSZ086P03NS3E G | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13.5A(Ta), 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.6m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.1V @ 105µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 57.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4785pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 69W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSZ086P03NS3E G-ND BSZ086P03NS3EG BSZ086P03NS3EGATMA1 SP000473016 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSZ086P03NS3E G | |
관련 링크 | BSZ086P03, BSZ086P03NS3E G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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![]() | MC10E106FN | MC10E106FN ON PLCC-28P | MC10E106FN.pdf | |
![]() | ECJ2TC1H241J | ECJ2TC1H241J PANASONIC SMD | ECJ2TC1H241J.pdf | |
![]() | 50P4.0-JMCS-G-B-TF | 50P4.0-JMCS-G-B-TF JST SOP | 50P4.0-JMCS-G-B-TF.pdf | |
![]() | AK33919B2 | AK33919B2 ORIGINAL TO-23 | AK33919B2.pdf | |
![]() | MF1/4DCT52R1002D | MF1/4DCT52R1002D KOA SMD or Through Hole | MF1/4DCT52R1002D.pdf | |
![]() | LTC2901-3 | LTC2901-3 LT 16-LeadSSOP | LTC2901-3.pdf | |
![]() | S29GL256N11FFIIH | S29GL256N11FFIIH SPANSION BGA | S29GL256N11FFIIH.pdf |