창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSZ086P03NS3E G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSZ086P03NS3E G | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13.5A(Ta), 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.6m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.1V @ 105µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 57.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4785pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 69W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSZ086P03NS3E G-ND BSZ086P03NS3EG BSZ086P03NS3EGATMA1 SP000473016 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSZ086P03NS3E G | |
관련 링크 | BSZ086P03, BSZ086P03NS3E G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | FL12K25 | FUSE LK CPS K 025A NRB 23" SILVE | FL12K25.pdf | |
![]() | TPC8.2HM3/87A | TVS DIODE 6.63VWM 12.5VC SMPC | TPC8.2HM3/87A.pdf | |
![]() | V660LC80CP | VARISTOR 1080V 10KA DISC 20MM | V660LC80CP.pdf | |
![]() | L175J7K5 | RES CHAS MNT 7.5K OHM 5% 175W | L175J7K5.pdf | |
![]() | CRCW060316R5FKEA | RES SMD 16.5 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW060316R5FKEA.pdf | |
![]() | PTN1206E9762BST1 | RES SMD 97.6K OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E9762BST1.pdf | |
![]() | MBA02040C2219FC100 | RES 22.1 OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C2219FC100.pdf | |
![]() | SST89E54RD2A | SST89E54RD2A ORIGINAL DIPSMD | SST89E54RD2A.pdf | |
![]() | ST092001E0 | ST092001E0 DATE SOT363 | ST092001E0.pdf | |
![]() | HAL115S | HAL115S ITT SOT-89 | HAL115S.pdf | |
![]() | 2SD1584-Z-E1(K) | 2SD1584-Z-E1(K) NEC TO252 | 2SD1584-Z-E1(K).pdf | |
![]() | EEEHA0J221W | EEEHA0J221W panasonic SMD or Through Hole | EEEHA0J221W.pdf |