Infineon Technologies BSZ086P03NS3E G

BSZ086P03NS3E G
제조업체 부품 번호
BSZ086P03NS3E G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
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내부 부품 번호EIS-BSZ086P03NS3E G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서BSZ086P03NS3E G
PCN 기타Multiple Changes 09/Jul/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C13.5A(Ta), 40A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs8.6m옴 @ 20A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3.1V @ 105µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs57.5nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds4785pF @ 15V
전력 - 최대69W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력TDFN
공급 장치 패키지PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
표준 포장 5,000
다른 이름BSZ086P03NS3E G-ND
BSZ086P03NS3EG
BSZ086P03NS3EGATMA1
SP000473016
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)BSZ086P03NS3E G
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