창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSZ084N08NS5ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSZ084N08NS5 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.4m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.8V @ 31µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1820pF @ 40V | |
| 전력 - 최대 | 63W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | SP001227056 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSZ084N08NS5ATMA1 | |
| 관련 링크 | BSZ084N08N, BSZ084N08NS5ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | VJ1812Y121JBAAT4X | 120pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812Y121JBAAT4X.pdf | |
![]() | 416F25025CKT | 25MHz ±20ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F25025CKT.pdf | |
| FSBS3CH60 | SMART POWER MODULE 3A SPM27-BA | FSBS3CH60.pdf | ||
![]() | D2TO035C2R200JRE3 | RES SMD 2.2 OHM 5% 35W TO263 | D2TO035C2R200JRE3.pdf | |
![]() | HM62256-12 | HM62256-12 N/A DIP-28 | HM62256-12.pdf | |
![]() | 200Z6 | 200Z6 ON SOP8 | 200Z6.pdf | |
![]() | LD1117AL-1.8V/LD1117AL-3.3V | LD1117AL-1.8V/LD1117AL-3.3V SOT- SMD or Through Hole | LD1117AL-1.8V/LD1117AL-3.3V.pdf | |
![]() | 6RI100P-160 | 6RI100P-160 FUJI SMD or Through Hole | 6RI100P-160.pdf | |
![]() | S3C9428XZ0-AV98 | S3C9428XZ0-AV98 SAMSUNG 30SDIP | S3C9428XZ0-AV98.pdf | |
![]() | SGE2653-2 | SGE2653-2 SG SOP-5 | SGE2653-2.pdf | |
![]() | N1600CH06GOO | N1600CH06GOO WESTCODE MODULE | N1600CH06GOO.pdf |