창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSZ065N03LS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSZ065N03LS | |
| PCN 설계/사양 | OptiMOS Wafer Addition 17/Dec/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Ta), 40A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.5m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 670pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSZ065N03LS-ND BSZ065N03LSATMA1 SP000799084 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSZ065N03LS | |
| 관련 링크 | BSZ065, BSZ065N03LS 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | SIT8008BI-12-33E-28.636360D | OSC XO 3.3V 28.63636MHZ OE | SIT8008BI-12-33E-28.636360D.pdf | |
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![]() | CRCW080518K2DKTAP | RES SMD 18.2K OHM 0.5% 1/8W 0805 | CRCW080518K2DKTAP.pdf | |
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![]() | F5042-S-TB16R TEL:82766440 | F5042-S-TB16R TEL:82766440 FUJI SOT-252 | F5042-S-TB16R TEL:82766440.pdf | |
![]() | PAC01D620R0F | PAC01D620R0F BCComponents SMD or Through Hole | PAC01D620R0F.pdf | |
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![]() | PIC16F1782-I/SO | PIC16F1782-I/SO MICROCHIP SOP | PIC16F1782-I/SO.pdf | |
![]() | SNJ104426NSR | SNJ104426NSR TI SOP | SNJ104426NSR.pdf | |
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