창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSZ058N03MSGATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSZ058N03MS G | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1614 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Ta), 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3100pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 45W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSZ058N03MS G BSZ058N03MSG BSZ058N03MSGINTR BSZ058N03MSGINTR-ND BSZ058N03MSGXT SP000311508 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSZ058N03MSGATMA1 | |
관련 링크 | BSZ058N03M, BSZ058N03MSGATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | CMR05E560FPDR | CMR MICA | CMR05E560FPDR.pdf | |
![]() | GB01SLT12-214 | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 1A | GB01SLT12-214.pdf | |
![]() | RCS0805102RFKEA | RES SMD 102 OHM 1% 0.4W 0805 | RCS0805102RFKEA.pdf | |
![]() | CAT28C64BJ E-12 | CAT28C64BJ E-12 CSI SOP-28 | CAT28C64BJ E-12.pdf | |
![]() | LBS10145-101MT | LBS10145-101MT Fenghua SMD | LBS10145-101MT.pdf | |
![]() | TDA9381PS/N3/3/1663 | TDA9381PS/N3/3/1663 ORIGINAL SMD or Through Hole | TDA9381PS/N3/3/1663.pdf | |
![]() | R5423N173C-TR-FA | R5423N173C-TR-FA RICOH SMD or Through Hole | R5423N173C-TR-FA.pdf | |
![]() | C5881-Q | C5881-Q ROHM TO-251252 | C5881-Q.pdf | |
![]() | L-NPRSP1B-HSB665-DB | L-NPRSP1B-HSB665-DB AGERE BGA | L-NPRSP1B-HSB665-DB.pdf | |
![]() | HEN0J821MC13 | HEN0J821MC13 HICON/HIT DIP | HEN0J821MC13.pdf | |
![]() | AS168X-CB1G050 | AS168X-CB1G050 Schurter DIN THERM-MAG 1P 5A | AS168X-CB1G050.pdf |