Infineon Technologies BSZ050N03LSGATMA1
- 제조업체 부품 번호
- BSZ050N03LSGATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
BSZ050N03LSGATMA1 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 281.69856
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 BSZ050N03LSGATMA1 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. BSZ050N03LSGATMA1 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. BSZ050N03LSGATMA1가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- BSZ050N03LSGATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSZ050N03LSGATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSZ050N03LSGATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSZ050N03LS G | |
| PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1614 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Ta), 40A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2800pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSZ050N03LS G BSZ050N03LSG BSZ050N03LSGINTR BSZ050N03LSGINTR-ND BSZ050N03LSGXT SP000304139 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSZ050N03LSGATMA1 | |
| 관련 링크 | BSZ050N03L, BSZ050N03LSGATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
BSZ050N03LSGATMA1 의 관련 제품
.85mm.jpg) | GRM21BR71A475MA73L | 4.7µF 10V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM21BR71A475MA73L.pdf | |
 | RCE5C2A7R0D0K1H03B | 7pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.142" L x 0.098" W(3.60mm x 2.50mm) | RCE5C2A7R0D0K1H03B.pdf | |
 | 402F38422IDR | 38.4MHz ±20ppm 수정 18pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F38422IDR.pdf | |
 | C14N32P-B3 | ENCODER OPT 32PPR 6.35MM D SHAFT | C14N32P-B3.pdf | |
 | AP3801GM-HF | AP3801GM-HF APEC SO-8(M) | AP3801GM-HF.pdf | |
| NXP-BC857C.215 | NXP-BC857C.215 NXP SOT-23 | NXP-BC857C.215.pdf | |
| ILQ74-X019 | ILQ74-X019 VishaySemicond SMD or Through Hole | ILQ74-X019.pdf | |
| PW507 | PW507 ST BGA | PW507.pdf | |
| CE8301E50P | CE8301E50P CHIPOWER SMD or Through Hole | CE8301E50P.pdf | |
| LV2280V-TLM-E | LV2280V-TLM-E SANYO TSOP24 | LV2280V-TLM-E.pdf | |
| 4CE22C | 4CE22C SANYO SMD-2 | 4CE22C.pdf | |
| 1717468-3 | 1717468-3 TEConnectivity SMD or Through Hole | 1717468-3.pdf |