창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSZ042N06NS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSZ042N06NS | |
| 주요제품 | Solutions for Embedded Systems | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Ta), 40A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.2m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.8V @ 36µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 27nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2000pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 2.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSZ042N06NSATMA1 BSZ042N06NSTR SP000917418 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSZ042N06NS | |
| 관련 링크 | BSZ042, BSZ042N06NS 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | RG2012N-113-W-T1 | RES SMD 11K OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012N-113-W-T1.pdf | |
![]() | RT1206BRD07160RL | RES SMD 160 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRD07160RL.pdf | |
![]() | 24STS12 | 24STS12 BOTHHAND SOP24 | 24STS12.pdf | |
![]() | MSM5117405F-60T3-K-7 | MSM5117405F-60T3-K-7 OKI SMD or Through Hole | MSM5117405F-60T3-K-7.pdf | |
![]() | KSC823C | KSC823C ORIGINAL SMD | KSC823C.pdf | |
![]() | KABDAT-SP14Q011-L160A-G | KABDAT-SP14Q011-L160A-G BEKOGMBH SMD or Through Hole | KABDAT-SP14Q011-L160A-G.pdf | |
![]() | 74ACT563SCX | 74ACT563SCX FAI SOP207.2 | 74ACT563SCX.pdf | |
![]() | ISL12026 | ISL12026 KB SO8 | ISL12026.pdf | |
![]() | P1100-HC24576000MHZ | P1100-HC24576000MHZ PLETRONICS SMD or Through Hole | P1100-HC24576000MHZ.pdf | |
![]() | FDD30N06L | FDD30N06L ORIGINAL TO252 | FDD30N06L.pdf | |
![]() | REV-04655 | REV-04655 AMIS BGA | REV-04655.pdf | |
![]() | LT1167ACS8#TR | LT1167ACS8#TR LINEAR SOP8 | LT1167ACS8#TR.pdf |