창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSZ035N03LSGATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSZ035N03LS G | |
| PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1614 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Ta), 40A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.5m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 56nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4400pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 69W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSZ035N03LS G BSZ035N03LSG BSZ035N03LSGATMA1TR BSZ035N03LSGINTR BSZ035N03LSGINTR-ND BSZ035N03LSGXT SP000278809 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSZ035N03LSGATMA1 | |
| 관련 링크 | BSZ035N03L, BSZ035N03LSGATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | ACS08 | ACS08 ST TO-92 | ACS08.pdf | |
![]() | V300B5C200BL2 | V300B5C200BL2 VICOR SMD or Through Hole | V300B5C200BL2.pdf | |
![]() | XC5210PQ240-4C | XC5210PQ240-4C XILINX QFP | XC5210PQ240-4C.pdf | |
![]() | PTVSLC3D5VU | PTVSLC3D5VU Prisemi SOD-323 | PTVSLC3D5VU.pdf | |
![]() | SLA5022. | SLA5022. SANKEN SMD or Through Hole | SLA5022..pdf | |
![]() | CS1N60C4D | CS1N60C4D CS SMD or Through Hole | CS1N60C4D.pdf | |
![]() | 12FR60 | 12FR60 IR DO-4 | 12FR60.pdf | |
![]() | XN04504 | XN04504 PANASONIC SMD | XN04504.pdf | |
![]() | RMC1/87505%R | RMC1/87505%R SEI SMD or Through Hole | RMC1/87505%R.pdf | |
![]() | K4S561632J | K4S561632J SAMSUNG TSSOP | K4S561632J.pdf | |
![]() | 74VCX16839MTDX /VCX16839 | 74VCX16839MTDX /VCX16839 FAI TSSOP | 74VCX16839MTDX /VCX16839.pdf |