창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSZ025N04LSATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSZ025N04LS | |
주요제품 | Solutions for Embedded Systems | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A(Ta), 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.5m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 52nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3680pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 2.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSZ025N04LSATMA1TR SP001252032 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSZ025N04LSATMA1 | |
관련 링크 | BSZ025N04, BSZ025N04LSATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | VJ0805D1R9BXCAP | 1.9pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D1R9BXCAP.pdf | |
![]() | 08055K120JBTTR | 12pF Thin Film Capacitor 50V 0805 (2012 Metric) 0.079" L x 0.050" W (2.01mm x 1.27mm) | 08055K120JBTTR.pdf | |
![]() | CCR05CG221GR | CCR05CG221GR KEMET SMD or Through Hole | CCR05CG221GR.pdf | |
![]() | MAX987ESA+ | MAX987ESA+ MAXIMINTEGRATEDPRODUCTS 8-SOIC 3.9mm | MAX987ESA+.pdf | |
![]() | 2SA1261L | 2SA1261L NEC SMD or Through Hole | 2SA1261L.pdf | |
![]() | RL0805FR-07R15L | RL0805FR-07R15L YAGEO SMD | RL0805FR-07R15L.pdf | |
![]() | 2512 1% 4.99K | 2512 1% 4.99K SUPEROHM SMD or Through Hole | 2512 1% 4.99K.pdf | |
![]() | 9601 226 3066 | 9601 226 3066 N/A DIP | 9601 226 3066.pdf | |
![]() | LMB1017FLT | LMB1017FLT NS ZIP-11 | LMB1017FLT.pdf | |
![]() | 23FXZT-SM1-GAN-TF(LF) | 23FXZT-SM1-GAN-TF(LF) JST SMD or Through Hole | 23FXZT-SM1-GAN-TF(LF).pdf | |
![]() | COPC912-FHG/N | COPC912-FHG/N ESC DIP20 | COPC912-FHG/N.pdf |