창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSZ025N04LSATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSZ025N04LS | |
주요제품 | Solutions for Embedded Systems | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A(Ta), 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.5m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 52nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3680pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 2.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSZ025N04LSATMA1TR SP001252032 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSZ025N04LSATMA1 | |
관련 링크 | BSZ025N04, BSZ025N04LSATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 06033J3R6CBTTR | 3.6pF Thin Film Capacitor 25V 0603 (1608 Metric) 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.81mm) | 06033J3R6CBTTR.pdf | |
![]() | AD620JNZ | AD620JNZ ADI SMD or Through Hole | AD620JNZ.pdf | |
![]() | XC5D-4821 | XC5D-4821 OMRON SMD or Through Hole | XC5D-4821.pdf | |
![]() | A53I | A53I ORIGINAL SOT-89 | A53I.pdf | |
![]() | ICX026BLA-2 | ICX026BLA-2 SONY DIP | ICX026BLA-2.pdf | |
![]() | QG82LPP QJ65ES | QG82LPP QJ65ES INTEL BGA | QG82LPP QJ65ES.pdf | |
![]() | 550C961T500CB2B | 550C961T500CB2B CDE DIP | 550C961T500CB2B.pdf | |
![]() | ZL30406GGG1 | ZL30406GGG1 ZARLINK SMD or Through Hole | ZL30406GGG1.pdf | |
![]() | 74LCX02FN | 74LCX02FN ORIGINAL SOP | 74LCX02FN.pdf | |
![]() | FQP22N30C | FQP22N30C FAIRCHILD TO-220 | FQP22N30C.pdf | |
![]() | IRKH132/14 | IRKH132/14 IR SMD or Through Hole | IRKH132/14.pdf | |
![]() | Si2302BDS | Si2302BDS SiPu SOT-23 | Si2302BDS.pdf |