창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSZ018NE2LSI | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSZ018NE2LSI | |
PCN 설계/사양 | OptiMOS Wafer Addition 17/Dec/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A(Ta), 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.8m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2500pF @ 12V | |
전력 - 최대 | 69W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSZ018NE2LSI-ND BSZ018NE2LSIATMA1 SP000906032 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSZ018NE2LSI | |
관련 링크 | BSZ018N, BSZ018NE2LSI 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | F339MX231531MDA2B0 | 0.015µF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | F339MX231531MDA2B0.pdf | |
![]() | ERJ-1GEF56R2C | RES SMD 56.2 OHM 1% 1/20W 0201 | ERJ-1GEF56R2C.pdf | |
![]() | CRCW08053K00JNEAHP | RES SMD 3K OHM 5% 1/2W 0805 | CRCW08053K00JNEAHP.pdf | |
![]() | SPPBL1DR | SPPBL1DR BOURNS SOP-8 | SPPBL1DR.pdf | |
![]() | KCSC04-002 | KCSC04-002 ORIGINAL SMD or Through Hole | KCSC04-002.pdf | |
![]() | ADM1051S6 | ADM1051S6 AD SOP | ADM1051S6.pdf | |
![]() | MC348LAL | MC348LAL MOT DIP | MC348LAL.pdf | |
![]() | D789405A-067 | D789405A-067 NEC QFP80 | D789405A-067.pdf | |
![]() | RP34-SC-112 | RP34-SC-112 HiroseConnector FEM TERM TIN 12-22AW | RP34-SC-112.pdf | |
![]() | A8A-204-1 | A8A-204-1 OMRON SMD or Through Hole | A8A-204-1.pdf |