창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSZ018NE2LSI | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSZ018NE2LSI | |
PCN 설계/사양 | OptiMOS Wafer Addition 17/Dec/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A(Ta), 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.8m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2500pF @ 12V | |
전력 - 최대 | 69W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSZ018NE2LSI-ND BSZ018NE2LSIATMA1 SP000906032 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSZ018NE2LSI | |
관련 링크 | BSZ018N, BSZ018NE2LSI 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 1812WA221KAT9A | 220pF 2500V(2.5kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812WA221KAT9A.pdf | |
![]() | GPP10D-E3/54 | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL | GPP10D-E3/54.pdf | |
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![]() | MBB02070C2104FRP00 | RES 2.1M OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C2104FRP00.pdf | |
![]() | SE690 | SE690 DENSO SMD | SE690.pdf | |
![]() | TL3072I | TL3072I TI SOP8 | TL3072I.pdf | |
![]() | PCM1691 | PCM1691 BB SSOP | PCM1691.pdf | |
![]() | 2SC1215 | 2SC1215 ORIGINAL TO92 | 2SC1215.pdf | |
![]() | FS10UM-2 | FS10UM-2 MIT TO-220 | FS10UM-2.pdf | |
![]() | 0512941690+ | 0512941690+ MOLEX SMD or Through Hole | 0512941690+.pdf | |
![]() | M55342E11B680JS | M55342E11B680JS IRC SMD or Through Hole | M55342E11B680JS.pdf |