창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSTP6120G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | BSTP6120G | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | Module | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | BSTP6120G | |
| 관련 링크 | BSTP6, BSTP6120G 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | B43501B3227M82 | 220µF 385V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 3 Lead 300 mOhm @ 100Hz 10000 Hrs @ 85°C | B43501B3227M82.pdf | |
![]() | IMC1812ES561K | 560µH Unshielded Wirewound Inductor 50mA 30 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812ES561K.pdf | |
![]() | P160R-332GS | 3.3µH Unshielded Inductor 876mA 160 mOhm Max Nonstandard | P160R-332GS.pdf | |
![]() | 0805N151F500LC | 0805N151F500LC ORIGINAL SMD or Through Hole | 0805N151F500LC.pdf | |
![]() | CIC10P221NE | CIC10P221NE SAMSUNG SMD | CIC10P221NE.pdf | |
![]() | MS621IL36N | MS621IL36N SII SMD or Through Hole | MS621IL36N.pdf | |
![]() | CJ5422 | CJ5422 ORIGINAL SOT23-5 | CJ5422.pdf | |
![]() | LFXP15E-3F256C | LFXP15E-3F256C Lattice BGA256 | LFXP15E-3F256C.pdf | |
![]() | KM616V1002CJI-20J | KM616V1002CJI-20J SAMSUNG SOJ | KM616V1002CJI-20J.pdf | |
![]() | M36DR432AF102A6 | M36DR432AF102A6 STM SMD or Through Hole | M36DR432AF102A6.pdf | |
![]() | NLV32T-270J-P | NLV32T-270J-P TDK SMD or Through Hole | NLV32T-270J-P.pdf | |
![]() | TL4558 | TL4558 TI DIP | TL4558.pdf |