창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BST50,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BST50-52 | |
주요제품 | NXP - I²C Interface | |
PCN 설계/사양 | Resin Hardener 02/Jul/2013 | |
PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN - 달링턴 | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 1A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 45V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 1.3V @ 500µA, 500mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 50nA | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 2000 @ 500mA, 10V | |
전력 - 최대 | 1.3W | |
주파수 - 트랜지션 | 200MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-243AA | |
공급 장치 패키지 | SOT-89-3 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 568-6829-2 933644250115 BST50 T/R BST50 T/R-ND BST50,115-ND BST50115 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BST50,115 | |
관련 링크 | BST50, BST50,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | B41002A5336M | 33µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 85°C | B41002A5336M.pdf | |
![]() | K222K20C0GH53H5 | 2200pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | K222K20C0GH53H5.pdf | |
![]() | BLF7G20LS-140P,112 | FET RF 2CH 65V 1.88GHZ ACC-4L | BLF7G20LS-140P,112.pdf | |
![]() | SDNT1005X1523950TF | SDNT1005X1523950TF sunlord/ SMD or Through Hole | SDNT1005X1523950TF.pdf | |
![]() | MC13022ADWR2 | MC13022ADWR2 NULL na | MC13022ADWR2.pdf | |
![]() | N211A | N211A SAMSUNG SOP | N211A.pdf | |
![]() | MLF1005A2R2KT000 | MLF1005A2R2KT000 TDK SMD | MLF1005A2R2KT000.pdf | |
![]() | 8342500 | 8342500 ORIGINAL SOP16 | 8342500.pdf | |
![]() | RVS-6V470M | RVS-6V470M ELN SMD or Through Hole | RVS-6V470M.pdf | |
![]() | ISC-1812 82 10% TR2000 | ISC-1812 82 10% TR2000 Microsemi QFP | ISC-1812 82 10% TR2000.pdf | |
![]() | UPD750008GB-G07-3BS-MTX | UPD750008GB-G07-3BS-MTX NEC QFP | UPD750008GB-G07-3BS-MTX.pdf |