창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSS87H6327FTSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSS87 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | SIPMOS® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 240V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 260mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6옴 @ 260mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.8V @ 108µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 97pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-243AA | |
| 공급 장치 패키지 | PG-SOT89 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | BSS87H6327FTSA1-ND BSS87H6327FTSA1TR SP001047646 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSS87H6327FTSA1 | |
| 관련 링크 | BSS87H632, BSS87H6327FTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | C907U102MYVDBAWL40 | 1000pF 400VAC 세라믹 커패시터 Y5V(F) 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C907U102MYVDBAWL40.pdf | |
![]() | 23022 | 23022 MURR SMD or Through Hole | 23022.pdf | |
![]() | G6E-184P-24VDC | G6E-184P-24VDC ORIGINAL SMD or Through Hole | G6E-184P-24VDC.pdf | |
![]() | P15C3125QX | P15C3125QX ORIGINAL SOP | P15C3125QX.pdf | |
![]() | SPI-315-35 | SPI-315-35 SANYO SMD or Through Hole | SPI-315-35.pdf | |
![]() | SC108E6E11BAC | SC108E6E11BAC SIEMENS QFP | SC108E6E11BAC.pdf | |
![]() | HY5116164CTC-70 | HY5116164CTC-70 HYNIX TSOP50 | HY5116164CTC-70.pdf | |
![]() | TBCW33 | TBCW33 TOS SOT23 | TBCW33.pdf | |
![]() | MG80186-10 | MG80186-10 INTEL PGA | MG80186-10.pdf | |
![]() | BAKE150 | BAKE150 N/A SMD or Through Hole | BAKE150.pdf | |
![]() | AVT30264 | AVT30264 PANA SMD or Through Hole | AVT30264.pdf | |
![]() | R5511D024DD-TR-F | R5511D024DD-TR-F RICOH SON-6 | R5511D024DD-TR-F.pdf |