창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSS8402DW-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSS8402DW Datasheet | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | N 및 P-Chan | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V, 50V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 115mA, 130mA | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5옴 @ 50mA, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 200mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BSS8402DWDITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSS8402DW-7 | |
관련 링크 | BSS840, BSS8402DW-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
107CKR063M | 100µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 1.658 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | 107CKR063M.pdf | ||
3455RM 00870400 | MANUAL RESET THERMOSTAT | 3455RM 00870400.pdf | ||
LS386F | LS386F ORIGINAL SMD | LS386F.pdf | ||
PE-64936NL | PE-64936NL PULSE SMD or Through Hole | PE-64936NL.pdf | ||
LC99267FSB-TH | LC99267FSB-TH SANYO BGA | LC99267FSB-TH.pdf | ||
1462630.1 | 1462630.1 BBOS PLCC | 1462630.1.pdf | ||
M5010042 | M5010042 CRYDOM SMD or Through Hole | M5010042.pdf | ||
CN2A4TE104J | CN2A4TE104J KOA SMD or Through Hole | CN2A4TE104J.pdf | ||
AO4614BL_101 | AO4614BL_101 AOS SMD or Through Hole | AO4614BL_101.pdf | ||
GO6250 | GO6250 NVIDIA BGA | GO6250.pdf | ||
ECCM1M-12-12.000MTR | ECCM1M-12-12.000MTR ECLIPTEK ORIGINAL | ECCM1M-12-12.000MTR.pdf | ||
RN5VT20CA-TR(0J) | RN5VT20CA-TR(0J) RICOH SOT153 | RN5VT20CA-TR(0J).pdf |