창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSS8402DW-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSS8402DW Datasheet | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 Bond Wire 3/May/2011 | |
PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1573 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | N 및 P-Chan | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V, 50V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 115mA, 130mA | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5옴 @ 50mA, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 200mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BSS8402DW-FDITR BSS8402DW7F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSS8402DW-7-F | |
관련 링크 | BSS8402, BSS8402DW-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | CRCW12067R50JNTA | RES SMD 7.5 OHM 5% 1/4W 1206 | CRCW12067R50JNTA.pdf | |
![]() | CRCW020134K8FNED | RES SMD 34.8K OHM 1% 1/20W 0201 | CRCW020134K8FNED.pdf | |
![]() | R18SG8A | R18SG8A IR DO-8 | R18SG8A.pdf | |
![]() | XC6203E542PR | XC6203E542PR TOREX SOT89 | XC6203E542PR.pdf | |
![]() | RC0431A | RC0431A FAIRCHILD/FSC/ SOT-153 SOT-23-5 | RC0431A.pdf | |
![]() | 230332-0 | 230332-0 ORIGINAL SMD or Through Hole | 230332-0.pdf | |
![]() | 2SK433 / KE | 2SK433 / KE MITSUBIS SOT-23 | 2SK433 / KE.pdf | |
![]() | uPA855TD-T1-A | uPA855TD-T1-A NEC SOT-363 | uPA855TD-T1-A.pdf | |
![]() | RU8X11AMF-0109 | RU8X11AMF-0109 RICOH QFP | RU8X11AMF-0109.pdf | |
![]() | K5N5666ACA-AD11 | K5N5666ACA-AD11 SAMSUNG BGA | K5N5666ACA-AD11.pdf |