Infineon Technologies BSS816NWH6327XTSA1
- 제조업체 부품 번호
- BSS816NWH6327XTSA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
BSS816NWH6327XTSA1 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 49.14900
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 BSS816NWH6327XTSA1 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. BSS816NWH6327XTSA1 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. BSS816NWH6327XTSA1가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- BSS816NWH6327XTSA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSS816NWH6327XTSA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSS816NWH6327XTSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSS816NW | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.8V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.4A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 160m옴 @ 1.4A, 2.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 0.75V @ 3.7µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.6nC(2.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 180pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-SOT323-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SP000917562 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSS816NWH6327XTSA1 | |
| 관련 링크 | BSS816NWH6, BSS816NWH6327XTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
BSS816NWH6327XTSA1 의 관련 제품
 | C1210C106K3RACTU | 10µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | C1210C106K3RACTU.pdf | |
 | HSM5100GE3/TR13 | DIODE SCHOTTKY 100V 5A DO215AB | HSM5100GE3/TR13.pdf | |
 | 2N7637-GA | TRANS SJT 650V 7A TO-257 | 2N7637-GA.pdf | |
.jpg) | RC0805FR-07124KL | RES SMD 124K OHM 1% 1/8W 0805 | RC0805FR-07124KL.pdf | |
 | HLSR 40-P/SP33 | Current Sensor 40A 1 Channel Hall Effect, Open Loop Bidirectional Module | HLSR 40-P/SP33.pdf | |
| TECHNOIOGYVM8635-A12 | TECHNOIOGYVM8635-A12 ORIGINAL QFP | TECHNOIOGYVM8635-A12.pdf | |
| 0R5G4B42 | 0R5G4B42 TOSHIBA SMD or Through Hole | 0R5G4B42.pdf | |
| HI8482J | HI8482J HOL PLCC20 | HI8482J.pdf | |
| PG7AB LCX04 | PG7AB LCX04 ORIGINAL SMD or Through Hole | PG7AB LCX04.pdf | |
| BUT45 | BUT45 ORIGINAL T0220 | BUT45.pdf | |
| 72T36105L5BBI | 72T36105L5BBI IDT SMD or Through Hole | 72T36105L5BBI.pdf | |
| IRFB3205 | IRFB3205 IR TO-220 | IRFB3205.pdf |