Infineon Technologies BSS670S2L H6327

BSS670S2L H6327
제조업체 부품 번호
BSS670S2L H6327
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
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내부 부품 번호EIS-BSS670S2L H6327
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서BSS670S2L
PCN 설계/사양Die Orientation Update 25/Aug/2015
PCN 포장Carrier Tape Update 03/Jun/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)55V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C540mA(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs650m옴 @ 270mA, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2V @ 2.7µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs2.26nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds75pF @ 25V
전력 - 최대360mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지PG-SOT23-3
표준 포장 3,000
다른 이름BSS670S2L H6327-ND
BSS670S2LH6327
BSS670S2LH6327XTSA1
SP000928950
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)BSS670S2L H6327
관련 링크BSS670S2L, BSS670S2L H6327 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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