창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSS316N H6327 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSS316N | |
PCN 포장 | Carrier Tape Update 03/Jun/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.4A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 160m옴 @ 1.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 3.7µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.6nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 94pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 500mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-SOT23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BSS316N H6327-ND BSS316NH6327 BSS316NH6327XTSA1 SP000928948 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSS316N H6327 | |
관련 링크 | BSS316N, BSS316N H6327 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | VJ0402D5R6DLXAP | 5.6pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D5R6DLXAP.pdf | |
![]() | 416F38422ADR | 38.4MHz ±20ppm 수정 18pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38422ADR.pdf | |
![]() | RAVF164DFT47K0 | RES ARRAY 4 RES 47K OHM 1206 | RAVF164DFT47K0.pdf | |
![]() | CM8870PEI-B.8870PEI | CM8870PEI-B.8870PEI CMD PLCC20 | CM8870PEI-B.8870PEI.pdf | |
![]() | 942+ | 942+ FAIRCHILD 3L | 942+.pdf | |
![]() | LM3676SD-3.3 | LM3676SD-3.3 NS LLP | LM3676SD-3.3.pdf | |
![]() | R7004205XXUA | R7004205XXUA PRX MODULE | R7004205XXUA.pdf | |
![]() | 592D475X0010A2T | 592D475X0010A2T VISHAY SMD | 592D475X0010A2T.pdf | |
![]() | MIC2205-1.85YMLTR | MIC2205-1.85YMLTR MICREL ORIGINAL | MIC2205-1.85YMLTR.pdf | |
![]() | 76105002PL | 76105002PL ORIGINAL SMD or Through Hole | 76105002PL.pdf | |
![]() | MCH312F105ZP | MCH312F105ZP ROHM SMD | MCH312F105ZP.pdf |