Infineon Technologies BSS316N H6327

BSS316N H6327
제조업체 부품 번호
BSS316N H6327
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23
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내부 부품 번호EIS-BSS316N H6327
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서BSS316N
PCN 포장Carrier Tape Update 03/Jun/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 4.5V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C1.4A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs160m옴 @ 1.4A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2V @ 3.7µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs0.6nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds94pF @ 15V
전력 - 최대500mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지PG-SOT23-3
표준 포장 3,000
다른 이름BSS316N H6327-ND
BSS316NH6327
BSS316NH6327XTSA1
SP000928948
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)BSS316N H6327
관련 링크BSS316N, BSS316N H6327 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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38.4MHz ±20ppm 수정 18pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F38422ADR.pdf
RES ARRAY 4 RES 47K OHM 1206 RAVF164DFT47K0.pdf
CM8870PEI-B.8870PEI CMD PLCC20 CM8870PEI-B.8870PEI.pdf
942+ FAIRCHILD 3L 942+.pdf
LM3676SD-3.3 NS LLP LM3676SD-3.3.pdf
R7004205XXUA PRX MODULE R7004205XXUA.pdf
592D475X0010A2T VISHAY SMD 592D475X0010A2T.pdf
MIC2205-1.85YMLTR MICREL ORIGINAL MIC2205-1.85YMLTR.pdf
76105002PL ORIGINAL SMD or Through Hole 76105002PL.pdf
MCH312F105ZP ROHM SMD MCH312F105ZP.pdf