창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSS314PE H6327 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSS314PE | |
PCN 포장 | Carrier Tape Update 03/Jun/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 140m옴 @ 1.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 6.3µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.9nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 294pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 500mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-SOT23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BSS314PE H6327-ND BSS314PEH6327 BSS314PEH6327XTSA1 SP000928944 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSS314PE H6327 | |
관련 링크 | BSS314PE, BSS314PE H6327 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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![]() | BFC237542122 | 1200pF Film Capacitor 600V 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.728" L x 0.236" W (18.50mm x 6.00mm) | BFC237542122.pdf | |
![]() | 416F27123CKT | 27.12MHz ±20ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27123CKT.pdf | |
![]() | CRCW08051K30FKTB | RES SMD 1.3K OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW08051K30FKTB.pdf | |
![]() | ARD10012M06 | RF Switch IC General Purpose SPDT 18GHz 50 Ohm | ARD10012M06.pdf | |
![]() | S-80821ANNP | S-80821ANNP SEIKO SOT-343 | S-80821ANNP.pdf | |
![]() | PMBT3906/DG | PMBT3906/DG PHILIPS SOT-23 | PMBT3906/DG.pdf | |
![]() | SSC6210-TL | SSC6210-TL ORIGINAL SMD or Through Hole | SSC6210-TL.pdf | |
![]() | AS1340A-10-BTDT | AS1340A-10-BTDT AMD SMD or Through Hole | AS1340A-10-BTDT.pdf | |
![]() | SZ50B6 | SZ50B6 EIC SMA | SZ50B6.pdf | |
![]() | MG30G2CL4 | MG30G2CL4 TOSHIBA SMD or Through Hole | MG30G2CL4.pdf | |
![]() | GRM188R71H224KA01D | GRM188R71H224KA01D MURATA SMD | GRM188R71H224KA01D.pdf |