창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSS314PE H6327 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSS314PE | |
PCN 포장 | Carrier Tape Update 03/Jun/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 140m옴 @ 1.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 6.3µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.9nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 294pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 500mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-SOT23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BSS314PE H6327-ND BSS314PEH6327 BSS314PEH6327XTSA1 SP000928944 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSS314PE H6327 | |
관련 링크 | BSS314PE, BSS314PE H6327 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | ESD5Z6.0T1G | TVS DIODE 6VWM 20.5VC SOD523 | ESD5Z6.0T1G.pdf | |
![]() | 63205-03 | 63205-03 ORIGINAL SMD or Through Hole | 63205-03.pdf | |
![]() | K6T2008U2E-YF85 | K6T2008U2E-YF85 SAMSUNG SMD or Through Hole | K6T2008U2E-YF85.pdf | |
![]() | MAX13082EEPA+ | MAX13082EEPA+ MAXIM DIP8 | MAX13082EEPA+.pdf | |
![]() | CA3282ASZ | CA3282ASZ CALOG ZIP | CA3282ASZ.pdf | |
![]() | CVR-42T-(HXB)5K | CVR-42T-(HXB)5K KYOCERA 4x4-5k | CVR-42T-(HXB)5K.pdf | |
![]() | BZX55C 2.7V | BZX55C 2.7V ST SMD or Through Hole | BZX55C 2.7V.pdf | |
![]() | TPS61062YZFR | TPS61062YZFR TI BGA8 | TPS61062YZFR.pdf | |
![]() | H2D856162AG-3 | H2D856162AG-3 AMG BGA | H2D856162AG-3.pdf | |
![]() | LF365H | LF365H NS CAN8 | LF365H.pdf | |
![]() | S-80947ALMP | S-80947ALMP SII SOT89 | S-80947ALMP.pdf |