창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSS223PWH6327XTSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSS223PW | |
PCN 포장 | Reel Cover Tape Chg 16/Feb/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 390mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2옴 @ 390mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 1.5µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.62nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 56pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 250mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
공급 장치 패키지 | PG-SOT323-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BSS223PWH6327XTSA1TR SP000843010 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSS223PWH6327XTSA1 | |
관련 링크 | BSS223PWH6, BSS223PWH6327XTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | AVS336M35D16B-F | 33µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 8 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | AVS336M35D16B-F.pdf | |
![]() | AQ149M111GAJME | 110pF 300V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | AQ149M111GAJME.pdf | |
![]() | P51-2000-S-Z-I36-5V-000-000 | Pressure Sensor 2000 PSI (13789.51 kPa) Sealed Gauge Male - 1/4" (6.35mm) NPT 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-2000-S-Z-I36-5V-000-000.pdf | |
![]() | XC10XLVQ100-4I | XC10XLVQ100-4I XILINX QFP | XC10XLVQ100-4I.pdf | |
![]() | QEB50-48S3P3 | QEB50-48S3P3 P-DUKE DIP | QEB50-48S3P3.pdf | |
![]() | FDG6331L_NL | FDG6331L_NL FAIRCHILD SOT-363 | FDG6331L_NL.pdf | |
![]() | F355N | F355N NS DIP | F355N.pdf | |
![]() | F54S22 | F54S22 NS SMD or Through Hole | F54S22.pdf | |
![]() | SDM40E20LS | SDM40E20LS DIODES SOT-23 | SDM40E20LS.pdf | |
![]() | GS71024T-24 | GS71024T-24 GSI SMD or Through Hole | GS71024T-24.pdf | |
![]() | UWP1E330MCL | UWP1E330MCL NICHICON SMD or Through Hole | UWP1E330MCL.pdf |