창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSS215P H6327 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSS215P | |
PCN 포장 | Carrier Tape Update 03/Jun/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 150m옴 @ 1.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 11µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 3.6nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 346pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 500mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-SOT23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BSS215P H6327-ND BSS215PH6327 BSS215PH6327XTSA1 SP000928938 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSS215P H6327 | |
관련 링크 | BSS215P, BSS215P H6327 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
EVK105RH0R5BW-F | 0.50pF 16V 세라믹 커패시터 R2H 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | EVK105RH0R5BW-F.pdf | ||
0SOO003.Z | FUSE EDISON PLUG 3A 125VAC S TYP | 0SOO003.Z.pdf | ||
BZD27C30P-M3-18 | DIODE ZENER 800MW SMF DO219-M3 | BZD27C30P-M3-18.pdf | ||
SFR16S0001134FR500 | RES 1.13M OHM 1/2W 1% AXIAL | SFR16S0001134FR500.pdf | ||
3403VQR | 3403VQR AT&T SSOP16 | 3403VQR.pdf | ||
AM8530H-6PI | AM8530H-6PI AMD DIP | AM8530H-6PI.pdf | ||
PKJ4110BPIPT | PKJ4110BPIPT ERICSSON SMD or Through Hole | PKJ4110BPIPT.pdf | ||
EVPAA302K | EVPAA302K PANASONIC SMD or Through Hole | EVPAA302K.pdf | ||
S2B-ZR-SM4A-K-TF(LF)(SN) | S2B-ZR-SM4A-K-TF(LF)(SN) JST SMD or Through Hole | S2B-ZR-SM4A-K-TF(LF)(SN).pdf | ||
S80914ANMPDDBT2 | S80914ANMPDDBT2 SEIKO SMD or Through Hole | S80914ANMPDDBT2.pdf | ||
2SA715B | 2SA715B Hitachi TO-126 | 2SA715B.pdf |