Infineon Technologies BSS192PH6327FTSA1
- 제조업체 부품 번호
- BSS192PH6327FTSA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
BSS192PH6327FTSA1 가격 및 조달
가능 수량
9550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 132.50952
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 BSS192PH6327FTSA1 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. BSS192PH6327FTSA1 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. BSS192PH6327FTSA1가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- BSS192PH6327FTSA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSS192PH6327FTSA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSS192PH6327FTSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSS192P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | SIPMOS® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 190mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12옴 @ 190mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 130µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.1nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 104pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-243AA | |
| 공급 장치 패키지 | PG-SOT89 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | BSS192PH6327FTSA1TR SP001047642 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSS192PH6327FTSA1 | |
| 관련 링크 | BSS192PH63, BSS192PH6327FTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
BSS192PH6327FTSA1 의 관련 제품
 | EKMH401VSN151MQ35S | 150µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 1.658 Ohm 2000 Hrs @ 105°C | EKMH401VSN151MQ35S.pdf | |
 | KC7050K24.0000C1GE00 | 24MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 1.8V, 2.5V, 3.3V 5mA Standby (Power Down) | KC7050K24.0000C1GE00.pdf | |
 | VS-51MT120KPBF | POWER MOD 3PH BRIDGE 55A MTK | VS-51MT120KPBF.pdf | |
.jpg) | IMC0603ER56NG01 | 56nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 310 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | IMC0603ER56NG01.pdf | |
.jpg) | AC1210FR-07127RL | RES SMD 127 OHM 1% 1/2W 1210 | AC1210FR-07127RL.pdf | |
| S29AL016M10TAI020 | S29AL016M10TAI020 SPANSION TSOP-48 | S29AL016M10TAI020.pdf | |
| L9753 (e3,P/B) | L9753 (e3,P/B) ST SSOP-28 | L9753 (e3,P/B).pdf | |
| N2012ZA601T02 | N2012ZA601T02 TOKIN SMD or Through Hole | N2012ZA601T02.pdf | |
| CXOM10N-80.0M | CXOM10N-80.0M ORIGINAL SMD | CXOM10N-80.0M.pdf | |
| NRC06F1003TR | NRC06F1003TR NIPP SMD or Through Hole | NRC06F1003TR.pdf | |
| AM29F400BB-90S | AM29F400BB-90S AMD SMD or Through Hole | AM29F400BB-90S.pdf | |
| MT8892 | MT8892 ORIGINAL SOP28 | MT8892.pdf |