창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSS159NH6327XTSA2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSS159N | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | SIPMOS® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 공핍 모드 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 230mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.5옴 @ 160mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 26µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.4nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 39pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 360mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-SOT23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BSS159NH6327XTSA2TR SP000919328 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSS159NH6327XTSA2 | |
관련 링크 | BSS159NH63, BSS159NH6327XTSA2 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | RG2012P-5622-B-T5 | RES SMD 56.2K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012P-5622-B-T5.pdf | |
![]() | RT1210FRD07430KL | RES SMD 430K OHM 1% 1/4W 1210 | RT1210FRD07430KL.pdf | |
![]() | SMF233KJT | RES SMD 33K OHM 5% 2W 2616 | SMF233KJT.pdf | |
![]() | CMF5510K000FLEA | RES 10K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5510K000FLEA.pdf | |
![]() | HCS300 | HCS300 N/A NA | HCS300.pdf | |
![]() | SST39VF200A-90-4C-EKE | SST39VF200A-90-4C-EKE SST SMD or Through Hole | SST39VF200A-90-4C-EKE.pdf | |
![]() | MB8851-587L | MB8851-587L FUJ MDIP42 | MB8851-587L.pdf | |
![]() | SC63-11.0592-18 | SC63-11.0592-18 SUNKYUNGTELECOM X-TAL(6035)11.0592M | SC63-11.0592-18.pdf | |
![]() | 205201-7 | 205201-7 TYCO SMD or Through Hole | 205201-7.pdf | |
![]() | 30-207586-0001 | 30-207586-0001 NAVCOM BGA | 30-207586-0001.pdf | |
![]() | HEF4526BD | HEF4526BD MOT CDIP | HEF4526BD.pdf | |
![]() | 58-550 | 58-550 SELLERY SMD or Through Hole | 58-550.pdf |