창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSS138-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSS138 Datasheet | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 Bond Wire 16/Sept/2008 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
PCN 조립/원산지 | Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1572 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 50V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.5옴 @ 220mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 300mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BSS138-FDITR BSS1387F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSS138-7-F | |
관련 링크 | BSS138, BSS138-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
BA5912BFP | BA5912BFP ROHM HSOP24 | BA5912BFP.pdf | ||
CDCE925PWG4 | CDCE925PWG4 TEXAS TSSOP | CDCE925PWG4.pdf | ||
LLSxXxxxMHLB | LLSxXxxxMHLB NICHICON SMD or Through Hole | LLSxXxxxMHLB.pdf | ||
086222011001800B | 086222011001800B KYOCERA SMD or Through Hole | 086222011001800B.pdf | ||
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MC68836FNB-41 | MC68836FNB-41 MOT PLCC | MC68836FNB-41.pdf | ||
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2S4180 | 2S4180 ORIGINAL SOT-23 | 2S4180.pdf | ||
BAS116/JVT | BAS116/JVT ORIGINAL SOT-23 | BAS116/JVT.pdf | ||
74HC132N,652 | 74HC132N,652 NXP/PHILIPS SMD or Through Hole | 74HC132N,652.pdf |