창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSS127S-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSS127 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 160옴 @ 16mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.08nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 21.8pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 610mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BSS127S-7DITR BSS127S7 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSS127S-7 | |
| 관련 링크 | BSS12, BSS127S-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
|  | DR1030-330-R | 33µH Shielded Wirewound Inductor 1.6A 136.3 mOhm Max Nonstandard | DR1030-330-R.pdf | |
|  | MCR10ERTF1272 | RES SMD 12.7K OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10ERTF1272.pdf | |
|  | HT82K629A-0031 | HT82K629A-0031 HT SMD or Through Hole | HT82K629A-0031.pdf | |
|  | NJG1128HB6-TE1 | NJG1128HB6-TE1 NJRC SMD or Through Hole | NJG1128HB6-TE1.pdf | |
|  | TR88019CFA | TR88019CFA TRITECH QFP | TR88019CFA.pdf | |
|  | 721903103 | 721903103 NS SOP-20 | 721903103.pdf | |
|  | 20305-022E | 20305-022E I-PEX SMD or Through Hole | 20305-022E.pdf | |
|  | SP150-12 | SP150-12 MEANWELL SMD or Through Hole | SP150-12.pdf | |
|  | T1272T | T1272T PULSE SMD or Through Hole | T1272T.pdf | |
|  | PME8118V P/S/SR F | PME8118V P/S/SR F Ericsson SMD or Through Hole | PME8118V P/S/SR F.pdf |