Infineon Technologies BSS126H6327XTSA2

BSS126H6327XTSA2
제조업체 부품 번호
BSS126H6327XTSA2
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
데이터 시트 다운로드
다운로드
BSS126H6327XTSA2 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 93.76485
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 BSS126H6327XTSA2 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. BSS126H6327XTSA2 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. BSS126H6327XTSA2가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
BSS126H6327XTSA2 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
BSS126H6327XTSA2 매개 변수
내부 부품 번호EIS-BSS126H6327XTSA2
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서BSS126
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열SIPMOS®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징공핍 모드
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C21mA(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs500옴 @ 16mA, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.6V @ 8µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs2.1nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds28pF @ 25V
전력 - 최대500mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지PG-SOT23-3
표준 포장 3,000
다른 이름BSS126H6327XTSA2TR
SP000919334
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)BSS126H6327XTSA2
관련 링크BSS126H63, BSS126H6327XTSA2 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
BSS126H6327XTSA2 의 관련 제품
80.000001MHz ~ 220MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 33mA Enable/Disable SIT8209AI-8-18E.pdf
CX20548-11Z(DSFX-L510-042) CNX SMD or Through Hole CX20548-11Z(DSFX-L510-042).pdf
PBLS6021D NXP SOT163 PBLS6021D.pdf
SPV11N SETI BGA SPV11N.pdf
KTA1266-Y KEC SMD or Through Hole KTA1266-Y.pdf
K7R161882B-FC16000 NS NULL K7R161882B-FC16000.pdf
SN74HC173N TI DIP16 SN74HC173N.pdf
LTWF LT1767EMS8-5 LINEAR SMD or Through Hole LTWF LT1767EMS8-5.pdf
MA141K / MH Panasonic SOT-323 MA141K / MH.pdf
74LVC1G86GF PHI XSON 74LVC1G86GF.pdf
LAAB F623 ORIGINAL QFN24 LAAB F623.pdf
LT1129IST5 LT SMD or Through Hole LT1129IST5.pdf