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ON Semiconductor BSS123LT1G

BSS123LT1G
제조업체 부품 번호
BSS123LT1G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
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내부 부품 번호EIS-BSS123LT1G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서BSS123LT1 Datasheet
PCN 설계/사양Copper Wire 26/May/2009
PCN 조립/원산지TMOS7 Wafer Fab Expansion 04/Dec/2013
카탈로그 페이지 1553 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C170mA(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs6옴 @ 100mA, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.8V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds20pF @ 25V
전력 - 최대225mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지SOT-23-3(TO-236)
표준 포장 3,000
다른 이름BSS123LT1GOSTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)BSS123LT1G
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