창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSP89,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSP89 | |
| PCN 설계/사양 | Resin Hardener 02/Jul/2013 | |
| PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1502 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 240V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 375mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5옴 @ 340mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 120pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1.5W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 공급 장치 패키지 | SC-73 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 568-1769-2 934018750115 BSP89 T/R BSP89115 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSP89,115 | |
| 관련 링크 | BSP89, BSP89,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | 2N5884G | TRANS PNP 80V 25A TO3 | 2N5884G.pdf | |
![]() | LQP03TG1N8B02D | 1.8nH Unshielded Thin Film Inductor 500mA 200 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | LQP03TG1N8B02D.pdf | |
![]() | DT06-3S | DT06-3S ORIGINAL SMD or Through Hole | DT06-3S.pdf | |
![]() | PC3HU73YIP0B | PC3HU73YIP0B TI Original | PC3HU73YIP0B.pdf | |
![]() | BU7242SFVM-TR | BU7242SFVM-TR ROHM MSOP-8 | BU7242SFVM-TR.pdf | |
![]() | MRVLTQG47 | MRVLTQG47 N/M QFN16 | MRVLTQG47.pdf | |
![]() | S2B-ZR-SM3A-K-TF(D) | S2B-ZR-SM3A-K-TF(D) JST 2P-1.5 | S2B-ZR-SM3A-K-TF(D).pdf | |
![]() | 200MXC470M25X30 | 200MXC470M25X30 RUBYCON DIP | 200MXC470M25X30.pdf | |
![]() | OPA4345UAG4 | OPA4345UAG4 TI/BB SOIC14 | OPA4345UAG4.pdf | |
![]() | LR31J33BL-AG6-R | LR31J33BL-AG6-R UTC SOT23-6 | LR31J33BL-AG6-R.pdf | |
![]() | 7000-88041-6500200 | 7000-88041-6500200 MURR SMD or Through Hole | 7000-88041-6500200.pdf |